Меню энциклопедии

Оперативная память

Физически оперативная память изготавливается в виде БИС (больших интегральных схем) различных типов (SIMM, DIMM), имеющих различную информационную емкость (1, 4, 8, 16, 32 Мбайта и т.д.).

Модули SIMM могут иметь различное количество контактов: 30 (устаревшие) или 72.

Модули DIMM имеют 168 контактов. Необходимо иметь в виду, что различные системные платы имеют различные наборы разъемов для модулей оперативной памяти.

Основной характеристикой модулей оперативной памяти является время доступа к информации (считывания/записи данных). В современных модулях памяти время доступа обычно меньше 70 нc (70 * 10⁹ с).

Конструкция модулей памяти

64-разрядные DIMM-модули (Dual In-line Memory Module) появились в 1997 году. У этого поколения модулей памяти насчитывается 168 контактов, расположенных с двух сторон текстолитовой платы (по 84 кон такта с каждой стороны).

Для идентификации типа модуля по объему памяти и типу используемых микросхем на нем устанавливается микросхема флэш-памяти с записанной в нее служебной информацией (SPD — Serial Presense Detect), доступ к которой происходит по интерфейсу 12С. Чтобы нельзя было установить неподходящий тип DlMM-модуля, в текстолитовой плате делается несколько прорезей (ключей). Для механической идентификации различных DIMM-модулей используется сдвиг положения двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей — не дать установить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Кроме того, левый ключ определяет наличие или отсутствие буфера данных.

Для модулей DDR SDRAM число контактов увеличено до 184.

На работу с такими модулями рассчитаны последние модификации процессоров Pentium 4 и Celeron, а также Athlon и Duron.

Для идентификации напряжения питания модулей DDR SDRAM служат соответствующие ключи.

На модулях типа Registered DIMM (с буферизацией данных) между контактами и микросхемами DRAM всегда устанавливается одна или две микросхемы временного хранения данных.

В низкопрофильных модулях микросхемы буферизации устанавливаются в середине модуля.

Виды оперативной памяти.

Так же память делиться не только по размеру но и по частоте.

Существуют три вида оперативной памяти:

DDR,
DDR2,
DDR3.

Частоты у них такие:

DDR - от 200 до 400 МГц,

DDR2 - от 533 до 1200 МГц,

DDR3 - от 800 до 2400 МГц.