Флэш-память — особый вид памяти
Принцип записи и считывания информации на картах флэш-памяти
Флэш-память — особый вид полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти:
• полупроводниковая (твердотельная) — не содержащая механически движущихся частей (как обычные жесткие диски или CD), построенная на основе полупроводниковых микросхем;
• энергонезависимая — не требующая дополнительной энергии для хранения данных (энергия требуется только для записи);
• перезаписываемая — допускающая изменение (перезапись) хранимых в ней данных.
В простейшем случае каждая ячейка флэш-памяти хранит один бит информации и состоит из одного полевого транзистора со специальной электрически изолированной областью («плавающим» затвором) (рис. 1.16).
Рис. 1.16. Ячейка флэш-памяти на полевом транзисторе
Название флэш-памяти было дано во время разработки первых микросхем (в начале 1980-х годов) как характеристика скорости стирания флэш-памяти (от англ. «in а flash» — в мгновение ока).
Следующая страница Принцип записи и считывания информации на картах флэш-памяти