Урок 4 - 6
§1.3. Внешняя (долговременная) память
Содержание урока
1.3.1. Магнитная память
1.3.2. Оптическая память
1.3.3. Флэш-память
Флэш-память — особый вид памяти
Принцип записи и считывания информации на картах флэш-памяти
Флэш-память
Принцип записи и считывания информации на картах флэш-памяти
Во флэш-памяти для записи и считывания информации используются электрические сигналы.
При отсутствии сигнала на линии управления (на управляющем затворе) ячейка памяти хранит один бит информации (0 или 1) на стоке полевого транзистора. Между стоком и истоком ток не идет.
При записи данных на линию управления подается положительное напряжение и электроны в результате эффекта туннелирования попадают на плавающий затвор. Между стоком и истоком возникает электрический ток и в результате на стоке полевого транзистора записывается один бит данных.
Эффект туннелирования — один из квантомеханических эффектов, использующих волновые свойства электрона. В полевом транзисторе этот эффект заключается в «перескакивании» электрона через слой диэлектрика между стоком и «плавающим» затвором под действием электрического поля.
Следующая страница 
Карты флэш-памяти
Cкачать материалы урока
