§1.3. Внешняя (долговременная) память | Урок 4 часть 21

Планирование уроков на учебный год (по учебнику Н.Д. Угриновича, профильный уровень)


Урок 4 - 6
§1.3. Внешняя (долговременная) память



Содержание урока

1.3.1. Магнитная память
1.3.2. Оптическая память
1.3.3. Флэш-память

Флэш-память — особый вид памяти

Принцип записи и считывания информации на картах флэш-памяти

Карты флэш-памяти

USB флэш-диски

Контрольные вопросы


Флэш-память


Принцип записи и считывания информации на картах флэш-памяти


Во флэш-памяти для записи и считывания информации используются электрические сигналы.

При отсутствии сигнала на линии управления (на управляющем затворе) ячейка памяти хранит один бит информации (0 или 1) на стоке полевого транзистора. Между стоком и истоком ток не идет.

При записи данных на линию управления подается положительное напряжение и электроны в результате эффекта туннелирования попадают на плавающий затвор. Между стоком и истоком возникает электрический ток и в результате на стоке полевого транзистора записывается один бит данных.

Эффект туннелирования — один из квантомеханических эффектов, использующих волновые свойства электрона. В полевом транзисторе этот эффект заключается в «перескакивании» электрона через слой диэлектрика между стоком и «плавающим» затвором под действием электрического поля.

Следующая страница Карты флэш-памяти



Cкачать материалы урока







Наверх